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          生产热线:15359873539 13959236971 0592-5984992

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          • 名称 :锗(Ge)

          详情:

          简要介绍
          用途 :制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池沉底等材料 。 
          详细参数

          N
          主要性能参数
          生长方法 提拉法
          晶体结构 立方
          晶格常数 a=5.65754 Å       
          密 度 5.323g/cm3
          熔点 937.4℃
          掺杂物质 不掺杂 掺Sb 掺Ga
          类型 /

                P
                电阻率 >35Ωcm 0.01~10Ωcm 0.01~10Ωcm
                EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
                尺寸 10x3 ,10x5 ,10x10,15x15 ,,20x15 ,20x20,
                Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
                厚度 0.5mm ,1.0mm
                抛光 单面或双面
                晶向 <100> 、<110> 、<111> 、±0.5º
                晶面定向精度: ±0.5°
                边缘定向精度: 2°(特殊要求可达1°以内)
                斜切晶片 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
                Ra: ≤5Å(5µm×5µm)
                包装 100级洁净袋 ,1000级超净室
                 
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