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产品相关介绍

铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（铝酸锂为1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。

详细参数

主要性能参数
晶体结构	四方
晶格常数	a=5.17 A c=6.26 A
熔点（℃）	1900
密度	2.62（g/cm³）
硬度	7.5（mohs）
与GaN失配率<001>	1.4%
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
尺寸	Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	＜100＞＜001>
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室

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