铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（铝酸锂为1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。

详细参数

主要性能参数 晶体结构 四方 晶格常数 a=5.17 A    c=6.26 A 熔点（℃） 1900 密度 2.62（g/cm3） 硬度 7.5（mohs） 与GaN失配率<001> 1.4% 尺寸 10x3，10x5，10x10 ，15x15，，20x15 ，20x20， Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ 厚度 0.5mm ，1.0mm 抛光 单面或双面 晶向 ＜100＞  ＜001> 晶面定向精度: ±0.5° 边缘定向精度: 2°（特殊要求可达1°以内） 斜切晶片 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 Ra: ≤5Å（5µm×5µm） 包装 100级洁净袋，1000级超净室