简要介绍

Si 用途 ：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。

详细参数

主要性能参数 晶体结构 面心立方 熔点（℃） 1420 密度 2.4（g/cm3） 导电类型/掺杂物质 I型非掺 P掺B N掺P 电 阻 率 >1000Ωcm 10-3~104Ωcm 10-3~104Ωcm E P D ≤100∕cm2 ≤100∕cm2 ≤100∕cm2 氧含量（∕cm3） ≤1~1.8×1018 ≤1~1.8×1018 ≤1~1.8×1018 碳含量（∕cm3） ≤5×1016 ≤5×1016 ≤5×1016 尺寸 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客户需求 ，定制特殊方向和尺寸的基片 厚度 0.3-0.5mm、1.0mm 尺寸公差 <±0.1mm 厚度公差 <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm） 抛光 单面或双面 晶面定向精度 ±0.5° 边缘定向精度 2°（特殊要求可达到1°以内） 取向 <100>、<110>、<111>等 包装 100级洁净袋 ，1000级超净室